FIIN08-10: 904130021 Obtención y caracterización de laminas delgadas y materiales nanoestructurados

Programa de doctorado Física e Informática
Bienio 08-10

Asignatura

Código 904130021
Nombre Obtención y caracterización de laminas delgadas y materiales nanoestructurados
Créditos 3,00
Tipo Fundamental orientación Física de Materiales
Profesorado
ProgramaIntrodución, Procesos de deposición y ataque de láminas delgadas.Descargas gaseosas(plasma) como método de deposición y ataque.Procesos de evaporación térmica.Epitaxia de haces moleculares MBE.Aplicaciones del sputtering a la deposición y ataque de láminas delgadas.Formación de láminas delgadas por ataque y deposición química.Determinación de la estructura de láminas delgadas.Propiedades ópticas de láminas delgadas.Características eléctricas de las láminas delgadas.Propiedades mecánicas de las láminas delgadas.Aplicaciones.Prácticas de laboratorio obtención y caracterización.
ObjetivosFamiliarizar al alumno con la caracterización de medios anisótropos y medios isótropos inhomogéneos mediante la utilización de técnicas ópticas.
Bibliografía
  • "Handbook of thin film technology". L.I.Maissel y R.Glang. McGraw-Hill Book Company. 1970. Library of Congress Catalog Card Number 73-79497
  • "Thin Film Processes" J.L.Vossen y W.Kern. Academic Press, Inc. 1978. ISBN 0-12-728250-5
  • "Thin Film Processes II" J.L.Vossen y W.Kern. Academic Press, Inc. 1991. ISBN 0-12-728251-3
  • Journal of Physics:Condensed Matter Vol14, Nº35 Pp 8153-8414 (2002) Special issue on Nanostructured Surfaces.
  • "Absorption and scattering of Light by Small Particles" C.F.Bohren y D.R.Huffman. Wiley Professional Paperback Editions Published 1998. ISBN 0-471-29340-7
  • "Optical properties of thin solid films" O.S.Havens. Dover publications Inc. 1991. ISBN0-486-66924-6
MetodologíaSe combinarán clases teóricas sobre las técnicas de caracterización con experiencias de laboratorio obteniendo láminas delgadas de silicio poroso mediante procesos químicos y electroquímicos para su posterior caracterizaciòn morfológica mediante microscopía electrónica SEM y TEM, posteriormente se realizará su caracterización óptica (fotoluminiscencia, camino óptico, etc.).
EvaluaciónLa evaluación constara de dos partes: 1) Examen sobre las técnicas de obtención y caracterización. 2) Trabajo práctico de obtención y caracterización tutorizado.
RequisitosConocimientos básicos de electromagnetismo, física cuántica, Óptica y física del estado sólido.
Observaciones
Página Web
Horario Clases:
  1. Martes 27/ 01/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Criptología y Seguridad Informática, Procesado de Imagen y Aplicaciones 3D)
  2. Jueves 29/ 01/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Acústica, Herramientas y Lenguajes de Programación)
  3. Martes 03/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Criptología y Seguridad Informática, Procesado de Imagen y Aplicaciones 3D)
  4. Viernes 06/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Criptología y Seguridad Informática, Herramientas y Lenguajes de Programación, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas, Procesado de Imagen y Aplicaciones 3D)
  5. Martes 10/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Computación de altas prestaciones, Metaheurísticas, Procesado de Imagen y Aplicaciones 3D, Sistemas de Información, Sistemas Distribuidos)
  6. Viernes 13/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Acústica, Computación de altas prestaciones, Criptología y Seguridad Informática, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas, Procesado de Imagen y Aplicaciones 3D, Sistemas de Información, Sistemas Distribuidos)
  7. Jueves 19/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Computación de altas prestaciones, Metaheurísticas, Sistemas de Información, Sistemas Distribuidos)
  8. Viernes 27/ 02/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Acústica, Computación de altas prestaciones, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas, Sistemas de Información, Sistemas Distribuidos)
  9. Martes 03/ 03/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Computación de altas prestaciones, Técnicas de Caracterización Óptica de Materiales)
  10. Viernes 06/ 03/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Acústica, Computación de altas prestaciones, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas)
  11. Lunes 09/ 03/ 2009 de 18:00 a 19:00
  12. Martes 10/ 03/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Fundamentos y Tecnología en Fotónica)
  13. Viernes 13/ 03/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Fundamentos y Tecnología en Fotónica, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas)
  14. Lunes 16/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  15. Martes 17/ 03/ 2009 de 09:00 a 12:30 (Colisiona con: Fundamentos de dispositivos semiconductores)
  16. Miércoles 18/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  17. Jueves 19/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  18. Viernes 20/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00 (Colisiona con: Técnicas de Caracterización Óptica de Materiales)
  19. Lunes 23/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  20. Martes 24/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  21. Miércoles 25/ 03/ 2009 de 09:00 a 12:30 (Colisiona con: Fundamentos de dispositivos semiconductores)
  22. Jueves 26/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00
  23. Viernes 27/ 03/ 2009 de 09:00 a 10:00 (Colisiona con: Técnicas de Caracterización Óptica de Materiales)
  24. Miércoles 01/ 04/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Fundamentos y Tecnología en Fotónica, Obtención y caracterizacion de nuevos materiales sol gel. Relación estructura-propiedades físicas)
  25. Jueves 02/ 04/ 2009 de 18:00 a 19:00 (Colisiona con: Fundamentos y Tecnología en Fotónica)